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J-GLOBAL ID：201802283871948159   整理番号：18A1697742

GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価

著者 (9件)： 色川芳宏 (物質・材料研究機構) ,  鈴木拓 (物質・材料研究機構) ,  弓削雅津也 (物質・材料研究機構) ,  大井暁彦 (物質・材料研究機構) ,  生田目俊秀 (物質・材料研究機構) ,  木本浩司 (物質・材料研究機構) ,  大西剛 (物質・材料研究機構) ,  三石和貴 (物質・材料研究機構) ,  小出康夫 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA6-20  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  結晶方位 ,  *酸化膜 ,  イオン散乱分光法 ,  低速イオン散乱 ,  RHEED ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  *表面構造 ,  光電子分光法 ,  自然酸化膜 ,  UPS【電子分光】 ,  *化成皮膜 ,  *構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  自然酸化膜 ,  評価