抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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電子機器の進化に伴い,ウェアラブルデバイスへの期待が高まっている。このようなデバイスでは柔軟性に優れた素材の利用が必須である。本研究においては,このようなデイバイスに向けたグラフェントランジスタの作製を行なった。フレキシブルな基板としてポリエチレンナフタレートのフィルムを用い,その表面に触媒となるNiを蒸着によって堆積させ,さらにレーザを照射することでグラフェンの合成を行なった。このグラフェンを用いたFETおよび歪センサの作製を行なった。得たグラフェンについてのRaman分光測定と電子デバイス特性評価を行なった。この結果,転写のような技法を用いずに直接フレキシブル基板上にグラフェン素子が形成できることを示し,その性能はイオン液滴中での37cm
2/Vsの移動度を持つことを明らかにした。また,歪センサとしての機能発現を確認した。