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J-GLOBAL ID:201802283942856202   整理番号:18A0015459

レーザアニーリングによる高移動度なグラフェントランジスタの作製

著者 (1件):
資料名:
巻: 30  ページ: 261-264  発行年: 2017年12月 
JST資料番号: J0694A  ISSN: 2434-0723  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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電子機器の進化に伴い,ウェアラブルデバイスへの期待が高まっている。このようなデバイスでは柔軟性に優れた素材の利用が必須である。本研究においては,このようなデイバイスに向けたグラフェントランジスタの作製を行なった。フレキシブルな基板としてポリエチレンナフタレートのフィルムを用い,その表面に触媒となるNiを蒸着によって堆積させ,さらにレーザを照射することでグラフェンの合成を行なった。このグラフェンを用いたFETおよび歪センサの作製を行なった。得たグラフェンについてのRaman分光測定と電子デバイス特性評価を行なった。この結果,転写のような技法を用いずに直接フレキシブル基板上にグラフェン素子が形成できることを示し,その性能はイオン液滴中での37cm2/Vsの移動度を持つことを明らかにした。また,歪センサとしての機能発現を確認した。
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (2件):
  • 安西哲也・遠藤順一・水野 勉・山田 一 : 塑性と加工, 37-426 (1996), 743.
  • 日本塑性加工学会 : 曲げ加工, (1995), 52, コロナ社
タイトルに関連する用語 (4件):
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