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J-GLOBAL ID：201802283952910875   整理番号：18A1709428

WO_3薄膜の成長とエレクトロクロミック特性に及ぼす基板温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of substrate temperature on growth and Electrochromic properties of WO₃ thin films

著者 (2件)： Madhuri K.V. (Thin Film Laboratory, Department of S & H, VFSTR Deemed to be University, Vadlamudi, AP, 522213, India) ,  Bujji Babu M. (Thin Film Laboratory, Department of S & H, VFSTR Deemed to be University, Vadlamudi, AP, 522213, India)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 174  ページ： 470-480  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WO_3薄膜を,室温(RT)から450°Cの範囲の種々の基板温度(T_s)で2×10~5mbarのベース圧力下で電子ビーム蒸着(EBE)法によって調製した。堆積した膜を系統的に特性化し,構造的,形態的,組成的,振動的,電気的,光学的及びエレクトロクロミック特性に及ぼす基板温度の影響を解析した。蒸着膜のEDSデータはタングステン(W)と酸素(O)元素の存在を確認した。XRDスペクトルは,T_s<250°Cで堆積した膜が非晶質であり,基板温度が450°Cに上昇すると結晶に変わることを明らかにした。形態学的研究により,250°C以上の基板温度を超えると,材料構造は結晶粒サイズが約70~80nmの良く結晶化した構造にゆっくり変化することが明らかになった。W=OとO-W-O結合はRamanスペクトルにより確認された膜中に存在した。光学データは間接許容遷移を表し,バンドギャップ値はRTから450°Cへの基板温度の上昇と共に3.24から2.93eVに減少することを観測した。RT電気伝導率はT_sの増加と共に増加することも分かった。最後に,RTで堆積した膜の着色効率(CE)は550nmの波長で30.63cm~2/Cであることが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 波長 ,  スペクトル ,  X線回折分析 ,  結晶粒径 ,  キャラクタリゼーション ,  結晶化 ,  バンドギャップ ,  蒸着膜 ,  電子ビーム蒸着 ,  *エレクトロクロミズム ,  Ramanスペクトル ,  *基板温度 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  許容遷移 ,  *薄膜

著者キーワード (7件)： WO_3薄膜 ,  EBE技術 ,  種々の基板温度 ,  組成 ,  構造 ,  形態学 ,  電気的およびエレクトロクロミック特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  成長 ,  エレクトロクロミック特性 ,  基板温度