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J-GLOBAL ID：201802283988492260   整理番号：18A1769968

増強モードGaNデバイスのスイッチング性能に及ぼすp-GaN層ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of p-GaN layer Doping on Switching Performance of Enhancement Mode GaN Devices

著者 (2件)： Mahajan Dhawal (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, Australia) ,  Khandelwal Sourabh (Department of Engineering, Macquarie University, Sydney, Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： COMPEL  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強化型p-GaN HEMTデバイスは,故障安全動作のための電力変換回路において望ましい。これらの素子のゲート容量は,Schottky金属-GaN接合の接合容量により,より高いゲートバイアスに対して減少した。シミュレーションモデルにおいてこの効果を捉えることは重要である。この目的のために,最初に,デバイスにおけるこの効果を効果的にモデル化する減損近似に基づく解析モデルを提示した。コアとして高電子移動度トランジスタ(ASM-HEMT)用の物理ベース先進Spiceモデルと結合したp-GaN/AlGaN接合におけるデバイス静電学を用いて,GaNデバイスにおけるp-GaN層へのドーピングの効果をモデル化した。このデバイス現象と増強モードGaNパワーデバイスのスイッチング特性の性能に及ぼすその効果を研究した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  故障 ,  シミュレーションモデル ,  近似法 ,  *ドーピング ,  モデリング ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  解析モデル
準シソーラス用語： 静電気学 ,  接合容量 ,  パワーデバイス ,  スイッチング特性 ,  ゲートバイアス ,  ゲート容量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増強 ,  GaN ,  スイッチング性能 ,  ドーピング