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J-GLOBAL ID：201802284111143464   整理番号：18A0589405

液体エッチングによるチップへのシリコン基板の分離【Powered by NICT】

Separation of a silicon substrate into chips by liquid etching

著者 (5件)： Djuzhev Nikolai A. (National Research University of Electronic Technology 《MIET》, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Gusev Evgeney E. (National Research University of Electronic Technology 《MIET》, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Dedkova Anna A. (National Research University of Electronic Technology 《MIET》, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Kireev Valeri Yu. (National Research University of Electronic Technology 《MIET》, Zelenograd, Moscow, Russia) ,  Onufrienko Andrei P. (National Research University of Electronic Technology 《MIET》, Zelenograd, Moscow, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ELCONRUS  ページ： 1970-1973  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,チップ(結晶)へのシリコンウエハを分離するための技術的ルートを提示した。チップは,様々な直径(1.0 ÷ 2.4 mm)のMEMS膜(Si/SiO_2/Si_3N_4)を含み,6mmを一辺とする正方形形状の。構造の緩和を,非接触光学プロフィルメータによって測定した。構造の水平寸法は顕微鏡により決定した。プラズマ(SF_6/C_4F_8),ガス(F_2)と液体(12% KOH)中のけい素のエッチング速度を実験的に決定した。チップ上のウエハの分離のためのカセット(装置)を設計し,製作した。この新しいカセットは,液体エッチング液に及ぼす切削工具を置換することにより機械的接触なしにチップに分けてシリコンウエハの収率を増加させることが可能になった。液体エッチングによるプロセス切削はエネルギー消費を低減する。新しいカセットはオペレータエラーの確率を減少させ,さまざまな形状のチップを形成する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマ ,  *エッチング ,  顕微鏡 ,  エネルギー消費 ,  プロフィルメータ ,  結晶 ,  切削工具 ,  エッチング液 ,  ケイ素 ,  MEMS ,  切削
準シソーラス用語： 機械的接触 ,  エッチング速度 ,  非接触 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： エッチング ,  シリコン基板