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J-GLOBAL ID：201802284251935004   整理番号：18A0729116

マイクロパイプ密度によるn型4H-SiC接触上のNi膜の電気的性能に及ぼす温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of temperature on electrical performance of Ni film on n-type 4H-SiC contacts in terms of micropipes density

著者 (4件)： Pham Hung V. (School of Engineering, RMIT University, Melbourne, Australia) ,  Luong Stanley (School of Engineering, RMIT University, Melbourne, Australia) ,  Holland Anthony S. (School of Science & Technology, RMIT University,. Ho Chi Minh City, Vietnam) ,  Nguyen Huy L. (School of Science & Technology, RMIT University,. Ho Chi Minh City, Vietnam)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SigTelCom  ページ： 132-135  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)は,その優れた物理的および電気的特性のために最近集中的に研究されている新しい半導体材料である。この革新的なSiC材料の欠点の一つは,SiC結晶成長中に生成される微小管欠陥である。これらの欠陥は,漏れ電流を増加させ,絶縁破壊電圧を減少させることにより,半導体デバイスの性能を悪化させる。熱処理はOhm接触を作るのに必要なプロセスであるので,欠陥密度と加熱温度の間の相関を調べることは興味深い。ニッケル(Ni)膜をn型4H-SiC基板上に堆積し,この相関を試験した。1000°Cまでの温度は熱処理に使用されるが,高い微小管密度試料(cm~2当たり-100マイクロパイプ)とOhm接触を形成することが可能である。低マイクロパイプ密度試料(<30マイクロパイプ/cm2)に及ぼす温度の影響は小さい。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ohm接触 ,  漏れ電流 ,  微小管 ,  半導体素子 ,  半導体材料 ,  欠陥密度 ,  加熱温度 ,  電気的性質 ,  炭化ケイ素 ,  結晶成長 ,  *ニッケル ,  熱処理
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  *ナノパイプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロパイプ ,  密度 ,  4H-SiC ,  Ni