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J-GLOBAL ID：201802284315446653   整理番号：18A1687840

金属-半導体接合特性を調整するための電子-フォノン相互作用:超低ポテンシャル障壁と低い非熱電子放出【JST・京大機械翻訳】

Electron - Phonon interaction to tune metal - Semiconductor junction characteristics: Ultralow potential barrier and less non-thermionic emission

著者 (8件)： Bhattacharjee Swarupananda (School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Dey Arka (Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Dey Sayan (School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Roychowdhury Anirban (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kolkata Centre, III/LB-8, Bidhannagar, Kolkata, 700098, India) ,  Ray Partha P. (Department of Physics, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Das Dipankar (UGC-DAE Consortium for Scientific Research, Kolkata Centre, III/LB-8, Bidhannagar, Kolkata, 700098, India) ,  Das Gopes C. (Department of Metallurgical and Materials Engineering, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Ghosh Chandan K. (School of Materials Science and Nanotechnology, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 547  ページ： 101-110  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,Ni_2O_3サンゴ様および花状ナノ構造を初めて調製するための二段階の容易な方法を提示し,次いで,XRD,FESEM,HRTEM,Raman,ルミネセンス分光法などにより構造的,光学的特性化を行った。超低ターンオン電圧(0.36V),ポテンシャル障壁(0.33eV),非常に理想的な熱イオン電流(η=1.11)をもつNi_2O_3ナノ構造/Alベース金属-半導体接合の整流I-V特性も報告した。光応答特性は,接合素子が光センシング応用のための有望な材料であることを示した。直列抵抗(111.4Ω),電子移動度(16.73×10~-10m~2V~1s),拡散長(5.13×10~7m),状態密度(3.09×10~40eVm~3)などのパラメータを評価し,活性半導体層内の欠陥(Ni3+空孔)誘起電子-フォノン相互作用がこれらのパラメータを決定するのに重要な役割を果たすことを論じた。最も重要なことに,接合部を横切る電荷輸送は非断熱機構に従うことを確認した。著者らの結果は,微細構造,欠陥依存性MS接合を理解するために一般化される可能性がある電流輸送機構への新しい洞察を示唆する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *半導体接合 ,  整流 ,  状態密度 ,  *フォノン ,  *ポテンシャル障壁 ,  接合部 ,  微細構造 ,  ナノ構造 ,  *接合 ,  電流 ,  パラメータ ,  ルミネセンス ,  *相互作用
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  直列抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 金属-半導体接合 ,  Ni_2O_3ナノ構造 ,  電子-フォノン相互作用 ,  分数次元 ,  理想因子 ,  バリア高さ

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体接合 ,  電子-フォノン相互作用 ,  ポテンシャル障壁 ,  熱電子放出