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J-GLOBAL ID：201802284632320189   整理番号：18A0132651

Gd_3(Ga,Al)_5O_12:Ce単結晶におけるルミネセンスと欠陥形成過程に及ぼすGa含有量の影響【Powered by NICT】

Effect of Ga content on luminescence and defects formation processes in Gd₃(Ga,Al)₅O₁₂:Ce single crystals

著者 (6件)： Grigorjeva L. (Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Kengaraga 8, Riga, LV-1063, Latvia) ,  Kamada K. (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Nikl M. (Institute of Physics AS CR, Cukrovarnicka 10, 16253, Prague 6, Czech Republic) ,  Yoshikawa A. (Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi, 980-8577, Japan) ,  Zazubovich S. (Institute of Physics, University of Tartu, W. Oswaldi 1, 50411, Tartu, Estonia) ,  Zolotarjovs A. (Institute of Solid State Physics, University of Latvia, Kengaraga 8, Riga, LV-1063, Latvia)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 75  ページ： 331-336  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるGa含有量(x=1, 2, 3, 4, 5)を用いたCe~3+をドープしたGd_3Ga_xAl_5 xO_12単結晶のルミネセンス特性を9 500Kの温度範囲で研究した。各結晶の残光,光ルミネセンス,放射線ルミネセンス,熱刺激ルミネセンス(TSL)のスペクトルは一致した。Ga含有量の増加は,スペクトルの高エネルギーシフトをもたらす9Kでの放射線ルミネセンス強度はx=0~4まで実質的に一定のままである。xが5の場合には観察されないCe~3+放出。全TSL強度は劇的に増加し,2 3付近で最大値に達し,その後Ce~3+発光の熱消光により減少した。TSLグロー曲線最大値はより低温へシフトしている,最大位置の依存性およびGa含有量に対応するトラップ深さは線形に近かった。しかし,Ce~3+の4f 5d_1吸収バンドにおける結晶の照射下でのTSLピーク生成の活性化エネルギーはGa含有量の増加(特に 1 2の範囲)と共に劇的に減少し,この依存性は強く非線形であることが分かった。非線形性の可能性のある理由を議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  非線形性 ,  アフターグロー ,  線形性 ,  ドーピング ,  *ガリウム ,  *単結晶 ,  放射線ルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  熱ルミネセンス ,  *ルミネセンス ,  グロー曲線 ,  吸収バンド ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 熱消光 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ルミネセンス ,  欠陥 ,  Ce3+を~ ,  多成分ざくろ石 ,  単結晶 ,  Scintillators

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ga ,  Al ,  Ce ,  単結晶 ,  ルミネセンス ,  欠陥 ,  形成過程 ,  含有量