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J-GLOBAL ID:201802284838716970   整理番号:18A0795155

大きな結晶粒とU字形Ga分布を持つCu欠乏CIGS薄膜を作製するためのCuリッチCIGS薄膜のGa_2Se_3処理【JST・京大機械翻訳】

Ga2Se3 treatment of Cu-rich CIGS thin films to fabricate Cu-poor CIGS thin films with large grains and U-shaped Ga distribution
著者 (9件):
資料名:
巻: 152  ページ: 184-187  発行年: 2018年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Cuに富むCIGS薄膜を四元CIGSとCuターゲットから調製し,その後のアニーリングによりCuリッチCIGS上にGa_2Se_3層を堆積することによりCu欠乏CIGSに変換した。本論文では,Ga_2Se_3処理としてCuリッチCIGSをCu欠乏CIGSに変換するプロセスを命名した。Ga_2Se_3処理はCIGS吸収体に対して2つの利点をもたらした。それは,CuリッチCIGS中の過剰Cu_xSe相を除去し,CIGSの粒径を減少させることができない。すなわち,Cu欠乏CIGSはCuリッチCIGS薄膜のほぼ同じサイズの結晶粒を有している。さらに,Ga_2Se_3処理はCIGS表面上のガリウム含有量を改善し,深さ方向に沿ったU型ガリウム分布をもたらした。Ga_2Se_3層の厚さを最適化し,CuリッチCIGSベース太陽電池において10.6%の最高変換効率をもたらすことができた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  太陽電池 

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