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J-GLOBAL ID：201802285092068841   整理番号：18A1334310

MBE成長β-Ga₂O₃横方向深紫外検出器におけるゼロバイアス応答性の実証

Demonstration of zero bias responsivity in MBE grown β-Ga₂O₃ lateral deep-UV photodetector

著者 (8件)： SINGH PRATIYUSH Anamika (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  KRISHNAMOORTHY Sriram (Ohio State Univ., OH, USA) ,  KRISHNAMOORTHY Sriram (Univ. Utah, UT, USA) ,  KUMAR Sandeep (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  XIA Zhanbo (Ohio State Univ., OH, USA) ,  MURALIDHARAN Rangarajan (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND) ,  RAJAN Siddharth (Ohio State Univ., OH, USA) ,  NATH Digbijoy N. (Indian Inst. of Sci., Bangalore, IND)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6  ページ： 060313.1-060313.5  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長したβ-Ga₂O₃平面UV-C検出器において,4.6mW cm^-2の光パワー密度までの良好な線形性をもつゼロバイアススペクトル応答性を実証した。サファイア基板上の厚さ150nmのβ-Ga₂O₃膜上に,非対称金属接触を有する素子を実現した。この素子はゼロバイアス条件下で255nmで1.4mA W^-1のスペクトル応答性,15Vで暗電流<10nA,および5VでUV対可視除去比~10⁵を示した。実証されたUV-C検出器は1Vで2.0×10¹²Jonesの高い検出感度を示し,非常に安定で再現性があり,焦点面アレイへの利用可能性を実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *酸化バリウム ,  *紫外線 ,  *光検出器 ,  *応答特性 ,  エネルギー密度 ,  線形性 ,  基板 ,  接触 ,  暗電流 ,  感度 ,  性能 ,  能力 ,  安定性 ,  再現性 ,  光検出器アレイ
準シソーラス用語： *深紫外 ,  パワー密度 ,  サファイア基板 ,  電気接触 ,  検出感度 ,  焦点面アレイ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

引用文献 (52件)：

• A. J. Green, K. D. Chabak, E. R. Heller, R. C. Fitch, M. Baldini, A. Fiedler, K. Irmscher, G. Wagner, Z. Galazka, S. E. Tetlak, A. Crespo, K. Leedy, and G. H. Jessen, IEEE Electron Device Lett. 37, 902 (2016).
• T. Oishi, Y. Koga, K. Harada, and M. Kasu, Appl. Phys. Express 8, 031101 (2015).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• S. Krishnamoorthy, Z. Xia, S. Bajaj, M. Brenner, and S. Rajan, Appl. Phys. Express 10, 051102 (2017).
• S. Kumar, A. S. Pratiyush, R. Muralidharan, and D. N. Nath, arXiv:1802.02313.

タイトルに関連する用語 (8件)： MBE成長 ,  β-Ga2O3 ,  横方向 ,  深紫外 ,  検出器 ,  バイアス ,  応答性 ,  実証