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J-GLOBAL ID：201802285121232866   整理番号：18A1700267

Al/HfO₂/Si構造におけるフォーミングプロセスフリーの抵抗スイッチング現象

著者 (5件)： 小林滉平 (兵庫県大) ,  吉田晴彦 (兵庫県大) ,  新船幸二 (兵庫県大) ,  佐藤真一 (兵庫県大) ,  堀田育志 (兵庫県大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21a-145-9  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スイッチング ,  アルミニウム ,  *酸化ハフニウム ,  ケイ素 ,  RAM【メモリ】 ,  *MIS構造 ,  過程 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *電流電圧特性
準シソーラス用語： ReRAM ,  フォーミングプロセス ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  HfO2 ,  Si ,  フォーミングプロセス ,  抵抗スイッチング ,  現象