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J-GLOBAL ID：201802285259780915   整理番号：18A0176406

不純物が媒介する結晶化法によるSi(111)基板上でのSiC膜のスパッタ成長

Sputtering Growth of SiC Films on Si(111)Substrates by Using Impurity Mediated Crystallization Method

著者 (6件)： IMOTO Kouki (Kyushu Univ.) ,  YAMASHITA Daisuke (Kyushu Univ.) ,  SEO Hyunwoong (Kyushu Univ.) ,  KOGA Kazunori (Kyushu Univ.) ,  SHIRATANI Masaharu (Kyushu Univ.) ,  ITAGAKI Naho (Kyushu Univ.)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)
巻： 43  ページ： 60 (WEB ONLY)  発行年： 2017年12月01日 
JST資料番号： U0757A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *スパッタ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  ウエハ【IC】 ,  格子不整合 ,  マグネトロンスパッタリング ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面粗さ ,  窒素 ,  不純物 ,  効果
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング ,  ケイ素基板 ,  不純物効果

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  結晶化 ,  Si ,  SiC ,  スパッタ ,  成長