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J-GLOBAL ID：201802285375424867   整理番号：18A0917623

面内X線回折法による4H-SiC(0001)表面の熱酸化誘起局所格子歪

Thermal-oxidation-induced local lattice distortion at surface of 4H-SiC(0001) characterized by in-plane X-ray diffractometry

著者 (3件)： HATMANTO Adhi Dwi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HATMANTO Adhi Dwi (Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, IDN) ,  KITA Koji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 1  ページ： 011201.1-011201.4  発行年： 2018年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の熱酸化処理後の4H-SiC(0001)表面の局所格子歪みを,面内X線回折法により調べた。著者らの結果は,(1<span style=text-decoration:overline>1</span>00)面間隔の増加として観察されるドライ酸化誘起格子歪みが,酸化時間の増加に伴って高くなることを示した。酸化物の厚さを44nmに増加させることにより,約0.4%までの格子定数の変化が観察された。この格子歪みは,化学的エッチングによるSiO₂層の除去後には回復せず,Arガスアニールにより部分的に減少し,ひずみ緩和は,4H-SiC表面領域における酸化誘起欠陥の除去を必要とすることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *表面 ,  *熱酸化 ,  *格子歪 ,  構造 ,  *X線回折 ,  歪 ,  面間隔 ,  膜厚 ,  格子定数 ,  ウェットエッチング ,  焼なまし ,  緩和現象 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  格子面間隔 ,  局所構造 ,  *半導体表面 ,  面内歪 ,  歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (22件)：

• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology (Wiley, Singapore, 2014).
• J. A. Cooper, Jr. and A. K. Agarwal, Proc. IEEE 90, 956 (2002).
• Q. Zhu, F. Qin, W. Li, and D. Wang, Physica B 432, 89 (2014).
• F. Devynck, A. Alkauskas, P. Broqvist, and A. Pasquarello, Phys. Rev. B 84, 235320 (2011).
• J. L. Cantin, H. J. von Bardeleben, Y. Shishkin, Y. Ke, R. P. Devaty, and W. J. Choyke, Phys. Rev. Lett. 92, 015502 (2004).

タイトルに関連する用語 (5件)： X線回折法 ,  4H-SiC ,  熱酸化 ,  誘起 ,  格子歪