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J-GLOBAL ID：201802285602325435   整理番号：18A0584874

直鎖型carbazoledioxazineベース有機半導体分子配向と電荷輸送性質に及ぼす骨格平面性の影響【Powered by NICT】

Linear-type carbazoledioxazine-based organic semiconductors: the effect of backbone planarity on the molecular orientation and charge transport properties

著者 (4件)： Otsuka Rikuo (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Yang ,  Mori Takehiko ,  Michinobu Tsuyoshi
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 18  ページ： 9822-9832  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導性高分子のための新しい前駆体として線形dibromocarbazoledioxazine(CZ)誘導体の合成を報告した。チオフェンまたはチエノチオフェンスペーサ(すなわち,PCZTとPCZTT)CZユニットとその重合体の化学構造を完全に特性化した。PCZTとPCZTTは薄膜の吸収開始と電気化学的酸化還元電位から推定した約1.70eVの類似媒質光学バンドギャップ(E)と電気化学的バンドギャップ(E)を有していた。計算密度汎関数理論(DFT)計算をPCZTの骨格は高度にねじれたかもしれないことを示唆するが,PCZTTのそれは非常に平面であることができた。電荷輸送特性に及ぼす異なる骨格形状の影響は,薄膜トランジスタ(TFT)を用いて調べた。PCZTTに基づくTFTデバイスはPCZTに基づくものと比較して四倍高い正孔移動度を示した。PCZTTの優れたTFT性能を合理的にすれすれ入射広角X線散乱(GIWAXS)によって明らかにされたSi基板,TFTデバイスにおける面内電荷輸送に好適である,に対するエッジオン骨格充填配向に起因していた。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学ギャップ ,  重合体 ,  すれすれ入射 ,  前駆体 ,  半導性 ,  *有機半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  電気化学 ,  密度汎関数法 ,  *平坦性 ,  薄膜 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  化学構造 ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機半導体 ,  分子配向 ,  電荷輸送 ,  性質 ,  骨格 ,  平面性