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J-GLOBAL ID：201802285700311773   整理番号：18A2234725

工業的サイズの選択的エミッタPERCのための化学的に成長させたSiO_2層を用いたリンエミッタの不動態化の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Phosphorus Emitter Passivation using Chemically Grown SiO₂ Layer for Industrial-sized Selective Emitter PERC

著者 (6件)： Joonwichien Supawan (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Kida Yasuhiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Moriya Masaaki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Utsunomiya Satoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Shirasawa Katsuhiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan) ,  Takato Hidetaka (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Koriyama, Fukushima, 963-0298, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： WCPEC  ページ： 3113-3117  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,超薄SiO_2層を形成するために,シリコン(NAOS)の硝酸酸化法を用いて,選択的エミッタ(SE)構造を有する工業規模の不動態化エミッタおよび後部セル(PERC)に対するリン放出体不動態化の改善を実証した。結果は,PERCsWeのすべてのI-Vパラメータに及ぼすエミッタ上のNAOS-SiO_2の存在の著しい影響を明らかに示した。短波長光子の内部量子効率(IQE)の強い改善とともに開回路電圧(V_oc)と短絡電流密度(J_sc)の増加を観測した。これらの改善は,界面トラップ密度(D_it)の減少によって明確に示されるように,高レベルの化学的不動態化に起因することができ,それはShockley-Read-Hall再結合が少ないためである。ここで示された結果は,NAOS表面前処理が化学的不動態化のレベルを改善し,それによって工業規模のPERC性能を強化するための非常に有望な技術であることを示唆する。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *リン ,  前処理 ,  光子 ,  再結合 ,  *不動態化
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  短絡電流密度 ,  開回路電圧 ,  内部量子効率 ,  短波長 ,  硝酸酸化 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工業 ,  サイズ ,  エミッタ ,  化学 ,  成長 ,  リン ,  不動態化