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J-GLOBAL ID：201802285718147838   整理番号：18A1210257

電気ストレスエージング後のSOI技術におけるバンドギャップの伝導免疫【JST・京大機械翻訳】

Conducted immunity of Bandgap in SOI technology after electrical stress aging

著者 (5件)： Wu J. (College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhang H. (Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, Tianjin, China) ,  Wang H. (College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zheng L. (College of Electronic Science, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Li B. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EMC/APEMC  ページ： 692-694  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップ参照回路のようなアナログ回路は,電気システムの動作安定性にとって重要である。しかし,それらは,それらの出力に関して電圧オフセットを誘発することができる電磁干渉(EMI)に非常に敏感であった。過酷な環境において,この成分のエージングは加速され,EMIへの影響の変化をもたらすことができる。本論文では,電気的応力を受けるSOI技術におけるBandgap回路の磁化率レベルのドリフトに関する独自の研究を提案した。測定結果は,電気加速エージング後の磁化率の低下を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *SOI構造 ,  電磁干渉 ,  オフセット ,  電圧 ,  アナログ回路 ,  磁化率 ,  *バンドギャップ

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ストレス ,  エージング ,  SOI技術 ,  バンドギャップ ,  伝導 ,  免疫