BiCMOS SiGeの信頼性解析:新たなRFとミリ波応用のための積極的な条件下でのC技術【Powered by NICT】

Lahbib Insaf; Wane Sidina; Lesenechal Dominique; Doukkali Aziz; Dinh Thanh Vinh; Leyssenne Laurent; Germanicus Rosine Coq; Bezerra Franqoise; Rolland Guy; Andrei Cristian; Imbert Guy; Martin Patrick; Descamps Philippe; Boguszewski Guillaume; Bajon Damienne

文献

J-GLOBAL ID：201802285915134862 整理番号：18A0073658

BiCMOS SiGeの信頼性解析:新たなRFとミリ波応用のための積極的な条件下でのC技術【Powered by NICT】

Reliability analysis of BiCMOS SiGe:C technology under aggressive conditions for emerging RF and mm-Wave applications

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著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 2017 号： EuMIC ページ： 147-150 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,SiGe集積回路に対する陽子のエネルギー準位放射の極端な環境条件の影響を実験的に研究した。線形(受動相互接続/アンテナ)と非線形(低雑音増幅器)を含む正準代表的構造はそれらの性能に及ぼす攻撃的ストレス条件の影響を評価するための担体として用いた。全体論的モデリングと特性化のための展望は,DCおよびRF特性における種々の相互作用機構(基板抵抗率変化,結合/intereferences,ドリフトを考慮に近づき,活性は,過酷と放射強い環境(例えば,宇宙,核,軍用)応用に向けたSiGe技術を押しにおける最適解を可能にするまで。特異的設計プロトタイプは新興RFとミリ波応用のためのミッションクリティカルなプロファイルを評価するために構築した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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