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J-GLOBAL ID：201802285948095067   整理番号：18A1622466

2D基板界面の熱境界コンダクタンスの定量化【JST・京大機械翻訳】

Quantifying the thermal boundary conductance of 2D-substrate interfaces

著者 (2件)： Foss Cameron J. (University of Massachusetts Amherst, 100 Natural Resources Way, Amherst, MA, 01002) ,  Aksamija Zlatan (University of Massachusetts Amherst, 100 Natural Resources Way, Amherst, MA, 01002)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は次世代ナノおよびオプトエレクトロニクス[1],[2]に対して大きな可能性を有している。しかし,単分子層中のホットスポットからの熱放散とその除去は,2Dベースのデバイス[2],[3]の設計に対する重要な関心事である。原子層中を流れる熱電流は,トランジスタ配置のようにソース/ドレイン接触を通して,あるいはvan der Waals(vdW)結合を介して支持基板を通して散逸することができる。2D材料が基板により支持されると,それと基板間に形成された界面面積は横方向ソース/ドレイン接触面積よりもはるかに大きい。したがって,大部分の廃熱は2D-基板界面を横切って,次に基板を通して除去されると疑われる。したがって,2D層と基板の間の熱境界コンダクタンス(TBC)は信頼できる2Dデバイス性能に対して良く特性化されることが必須である。ここでは,熱散逸の観点から,各2D材料に対する最良の基板を選択する問題に取り組んだ。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 廃熱 ,  *二次元 ,  キャラクタリゼーション ,  単分子層 ,  トランジスタ ,  熱放射 ,  ホットスポット ,  熱電流 ,  *界面 ,  オプトエレクトロニクス ,  *コンダクタンス
準シソーラス用語： 熱散逸 ,  接触面積 ,  原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2D ,  界面 ,  境界 ,  コンダクタンス ,  定量化