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J-GLOBAL ID：201802285964084511   整理番号：18A1928398

イオンゲート法を用いた酸化物薄膜における革新的電子機能の開拓

Development of novel electronic functions in oxide thin films by ion gating

著者 (1件)： 打田正輝 (東大 大学院工学系研究科 量子相エレクトロニクス研究セ)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.58 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 酸化物と電解質の界面は,電場下において,静電的キャリア蓄積やインターカレーションに代表される様々な反応過程を示す。我々は,Aサイトの空いたペロブスカイト型酸化物WO₃をチャネル材料に採用し,イオン液体・ポリマー電解質という二種類の異なる電解質をゲート材料に用いることで,静電的・電気化学的過程におけるデバイス動作を直接的に比較した。イオン液体デバイスにおいては,キャリア蓄積された層が広がる際に相分離をもたらす一方,ポリマー電解質デバイスにおいては,インターカレーションされたLiイオンが膜全体に拡散し連続的な相変化を引き起こす振る舞いが観測された。我々の発見と手法は,酸化物薄膜と電解質の界面における複雑なドーピングダイナミクスの包括的な理解への道を拓くと期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *薄膜 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *酸化タングステン ,  *イオン液体 ,  *高分子電解質 ,  イオンチャンネル ,  固液界面 ,  インターカレーション ,  リチウム化合物 ,  金属イオン ,  ゲート【半導体】 ,  過塩素酸リチウム ,  ポリエチレンオキシド ,  ドーピング ,  *固体素子 ,  *化学装置 ,  電気二重層
準シソーラス用語： リチウムイオン ,  リチウムインターカレーション ,  *三酸化タングステン ,  *酸化物薄膜 ,  *静電デバイス ,  *電気化学デバイス ,  電子ドーピング

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： N,N-ジエチル-N-メチル-N-(2-メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド

引用文献 (1件)：

• S. Nishihaya, M. Uchida, Y. Kozuka, Y. Iwasa, and M. Kawasaki, 2016. ACS Appl. Mater., 8(34): 22330-22336.

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンゲート法 ,  酸化物薄膜 ,  電子 ,  開拓