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J-GLOBAL ID:201802286109237562   整理番号:18A1768116

金属ドープITO層を有する高効率緑色InGaN発光ダイオードの作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Characterization of High-Efficiency Green InGaN Light-Emitting Diodes With Metal-Doped ITO Layer
著者 (5件):
資料名:
巻: 65  号: 10  ページ: 4334-4339  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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種々の金属ドープ酸化インジウムスズ(ITO)透明接触層を用いて,緑色InGaN発光ダイオード(LED)の効率を改善する方法を調べた。異なる金属厚さと異なる急速熱アニーリング条件を持つ金属ドープITOの抵抗と透過率を研究し,系統的に解析した。ITO層の消光係数と表面粗さは,600°Cで3分間,N_2/O_2(200:35)雰囲気の混合物中で適切な金属とアニーリングをドーピングすることによって明らかに減少することが分かった。さらに,金属ドープITOを用いることにより,シート抵抗を減少させ,より均一な電流分布を提供することが有用である。80nmのITO層を有する従来の緑色LEDと比較して,3nmのAlドープITO層を有する緑色LEDに対して,光出力の18.9%の増加と120mAの順方向電圧の1.5Vの減少があった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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発光素子 

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