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J-GLOBAL ID：201802286212408306   整理番号：18A0438771

標準CMOS技術における1060nmでの高感度Siフォトダイオード【Powered by NICT】

High-Responsivity Si Photodiodes at 1060 nm in Standard CMOS Technology

著者 (8件)： Guo Xia (School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT), Beijing, China) ,  Liu Qiaoli (School of Information, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Zhou Hongyi (School of Information, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Luan Xinxin (School of Information, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Li Chong (School of Information, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Hu Zonghai (School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT), Beijing, China) ,  Hu Anqi (School of Electronic Engineering, Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT), Beijing, China) ,  He Xiaoying (School of Information, Beijing University of Technology, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 2  ページ： 228-231  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1060nmの波長で高い応答性をもつ光検出は光検出のための非常に望ましいと掃引光源光コヒーレンストモグラフィー(SS OCT)応用の最近の出現と同様に測距(LiDAR)。しかし,0Vのバイアス下で1060nmでのSi材料の吸収係数αはSi材料の吸収バンドギャップ端へのアプローチのために非常に低い。本稿では,キャリア収集増強された構造を提案し,それは多重キャリア収集経路,フォトダイオードの外部量子効率を高めるとして機能する。0Vで1060nmにおける応答0.49A/Wの効率的なSiフォトダイオードを実証した,これは市販製品のものの2.5倍であった。Siフォトダイオードの費用効果のある作製をLiDARとOCTのシステム性能を大きく向上させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高感度 ,  *フォトダイオード ,  バイアス ,  光検出 ,  応答特性 ,  *ケイ素 ,  光源 ,  吸収バンド ,  波長 ,  距離測定 ,  吸収係数
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  マルチキャリア ,  キャリア収集 ,  光コヒーレンストモグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 標準 ,  CMOS技術 ,  高感度 ,  Si ,  フォトダイオード