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J-GLOBAL ID：201802286248097013   整理番号：18A0152445

3D抵抗メモリアレイにおける相補性スイッチング【Powered by NICT】

Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array

著者 (18件)： Banerjee Writam (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Banerjee Writam (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Banerjee Writam (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China) ,  Xu Xiaoxin (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Xu Xiaoxin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Xu Xiaoxin (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Lv Hangbing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Lv Hangbing (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Liu Qi (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Liu Qi (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Long Shibing (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Long Shibing (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, No. 3, BeiTuCheng West Road, ChaoYang District, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Liu Ming (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Liu Ming (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing, 210009, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700287  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D垂直クロスバー抵抗ランダムアクセスメモリ(3D VRRAM)の高密度応用である漏れ経路欠陥のために困難な,非線形低抵抗状態または相補的抵抗スイッチング(CRS)を用いて闘うことができる。TiO_x/Al_2O_3ベース二層サブミクロン3D VRRAMハイブリッドデバイスにおける抵抗スイッチング(RS)中のフィラメントとRSからCRSにリセット破壊誘起変態の高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)観察を提示した。完全な概念は二つの部分に分けられる。第1部では,RS,デバイスは,低抵抗状態で信頼性のあるスイッチング,安定な抵抗レベル,良好な保持,と中程度に高い非線形挙動を示した。RS機構は,導電性Ti_5O_9ナノフィラメントとそれに続くトンネルギャップの明確な形成のHRTEM画像によって確認された。第二部では,一般的な無電極TiO_x/Al_2O_3ベース3D VRRAMハイブリッド素子におけるリセット失敗後のCRS運転の実現を提案した。フィラメントと共に直列抵抗の形成はCRSモードの発展の背後にある理由である。RSと比較してCRS下で達成される高い非線形性。これに加えて,広範な応用のための,他の3D VRRAM系における類似の現象を調べることが重要である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導電性 ,  *相補性 ,  非線形性 ,  *記憶装置 ,  *スイッチング ,  信頼性 ,  画像 ,  フィラメント ,  *三次元
準シソーラス用語： ナノフィラメント ,  HRTEM ,  抵抗スイッチング ,  低抵抗 ,  ReRAM ,  *メモリアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3D垂直RRAM(3D VRRAM) ,  相補型抵抗スイッチング(CRS) ,  ハイブリッドメモリ ,  ナノレゴ線状構造体の形成 ,  原子価変化メモリ(VCM)

分類 (1件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  抵抗メモリ ,  アレイ ,  相補性 ,  スイッチング