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J-GLOBAL ID：201802286274834480   整理番号：18A0242974

HfO_2~ベースIMPLYゲート操作の実験的時間発展研究【Powered by NICT】

Experimental Time Evolution Study of the HfO₂-Based IMPLY Gate Operation

著者 (8件)： Maestro-Izquierdo Marcos (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Martin-Martinez Javier (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Yepes Albert Crespo (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Escudero Manel (Electronic Engineering Department, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona, Spain) ,  Rodriguez Rosana (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Nafria Montserrat (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Aymerich Xavier (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Auto`noma de Barcelona, Barcelona, Spain) ,  Rubio Antonio (Electronic Engineering Department, Universitat Polite`cnica de Catalunya, Barcelona, Spain)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 2  ページ： 404-410  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,メモリスタデバイスは論理ゲートを実現するための新しいパラダイムを開発するための重要な要素として提案されている。特に,メモリスタベースの論理包含(IMPLY)ゲートは論理応用のための潜在的に強力な基礎として提示した。文献では,IMPLY手術が広くシミュレートされてきたが,努力の大部分はその真理値表をに焦点を当て,ゲートの初期および最終状態を考慮しただけである。しかし,状態間の時間発展の完全な理解はまだないとほとんど報告されていた。IMPLYゲートに関与するメモリスタの時間発展は,ゲートの症例ごとに詳細に研究した。IMPLYゲートのメモリスタと直列に接続した内部抵抗のIMPLYゲート動作への影響が含まれている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *時間発展
準シソーラス用語： メモリスタ ,  論理ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  実験 ,  時間発展 ,  研究