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J-GLOBAL ID：201802286412933020   整理番号：18A1260694

TCADシミュレーションを用いたゲートオールアラウンドMOSFETリング発振器の電気特性【JST・京大機械翻訳】

Electrical characteristics of gate-all-around MOSFET ring oscillators using TCAD simulation

著者 (5件)： Kim Sutae (Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics) ,  Kim Minsuk (Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Woo Sola (Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Kang Hyungu (Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea) ,  Kim Sangsig (Department of Electrical Engineering, Korea University, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,サブ10nm論理技術応用のために,FinFETと比較して,ゲート-オール-アラウンド(GAA)シリコンナノワイヤおよびナノシート(NSH)電界効果トランジスタ(FET)から成るインバータおよびリング発振器の性能を調べた。著者らのTCAD過渡シミュレーションは,NSH幅を有する3つの積層チャネルを有するリング発振器がフィン幅より3倍広いことを明らかにし,FinFETを有するリング発振器と比較して,振動周波数において22%までの改善を示した。したがって,本研究は,GAA FET技術の開発におけるデバイスダウン選択のための洞察を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フィン ,  *電気特性 ,  チャネル ,  ナノシート ,  振動数 ,  *リング発振器 ,  FET【トランジスタ】 ,  *シミュレーション ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 過渡シミュレーション ,  シリコンナノワイヤ ,  FinFET ,  *ゲートオールアラウンド ,  *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： TCAD ,  シミュレーション ,  ゲートオールアラウンド ,  MOSFET ,  リング発振器 ,  電気特性