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J-GLOBAL ID：201802286558384821   整理番号：18A1620737

表面電子受容体として真空アニーリングとV_2O_5を用いたAl_2O_3/H-ダイヤモンドMOSFETの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Performance Enhancement of Al₂O₃/H-Diamond MOSFETs Utilizing Vacuum Annealing and V₂O₅ as a Surface Electron Acceptor

著者 (5件)： Macdonald David A. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Crawford Kevin G. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Tallaire Alexandre (LSPM-CNRS, Universite ́ Paris 13, Villetaneuse, France) ,  Issaoui Riadh (LSPM-CNRS, Universite ́ Paris 13, Villetaneuse, France) ,  Moran David A. J. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 9  ページ： 1354-1357  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400°Cでの素子の熱処理と表面電子受容体層としてのV_2O_5の導入による250nmゲート長H-ダイヤモンドFETの性能増強について報告した。V_2O_5によるH-ダイヤモンド表面のカプセル化は,移動ドーピング効率を増加させ,デバイスアクセス抵抗を減少させることが分かった。400°Cでの熱処理後のゲートの下のオーム接触抵抗とチャネル抵抗の減少は,デバイスON抵抗をさらに減少させ,最大ドレイン電流とピーク相互コンダクタンスを増加させることが分かった。これらの素子は最高のドレイン電流(375mA/mm)と相互コンダクタンス(98mS/mm)を示すが,電子受容体酸化物層を組み込んだこのゲート長のH-ダイヤモンドFETについてはまだ報告されている。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ohm接触 ,  ドーピング ,  *MOSFET ,  *焼なまし ,  酸化層 ,  *ダイヤモンド ,  相互コンダクタンス ,  オン抵抗 ,  熱処理
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  チャネル抵抗 ,  ゲート長 ,  *電子受容体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子受容体 ,  真空 ,  アニーリング ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  性能向上