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J-GLOBAL ID：201802286599631469   整理番号：18A1211094

高速低電力および高雑音イミュニティレベルシフタを持つGaNデバイス用の高電圧ハーフブリッジゲート駆動回路【JST・京大機械翻訳】

A high-voltage half-bridge gate drive circuit for GaN devices with high-speed low-power and high-noise-immunity level shifter

著者 (8件)： Ming Xin (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Xuan (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Zhi-wen (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Feng Xu-dong (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Hu Li (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Xia (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wu Gang (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Bo (State key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 355-358  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速低電力および高雑音免疫レベルシフタを備えたEモードGaNデバイス用の高電圧ハーフブリッジゲート駆動回路を提案した。それは,高雑音環境において,高速スレイングと出力維持回路を結合することにより,ディジタルレベル検出概念を採用し,小さな応答時間と高いdV_sw/dt雑音免疫の両方を達成した。提案したゲートドライバは,活性面積が1699~1522μm~2である0.5μm 80V HV CMOSプロセスで作製した。レベルシフタのシミュレーションと実験結果により,伝搬遅延は約1.618nsであり,dV_sw/dt雑音イミュニティは,0.04ns/μm ・Vに等しい低FOMで最大50V/nsであることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *雑音安定度 ,  *窒化ガリウム ,  応答時間 ,  *雑音 ,  *高速度 ,  *ゲート回路 ,  CMOS
準シソーラス用語： 伝搬遅延 ,  雑音環境 ,  *ハーフブリッジ ,  *レベルシフター ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電力 ,  雑音イミュニティ ,  レベルシフタ ,  GaN ,  高電圧 ,  ハーフブリッジ ,  ゲート駆動回路