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J-GLOBAL ID：201802286933016651   整理番号：18A1301165

抑制内部オーバシュート電流によるSiN_xベース抵抗スイッチングメモリの均一性改善【JST・京大機械翻訳】

Uniformity Improvement of SiN_x-Based Resistive Switching Memory by Suppressed Internal Overshoot Current

著者 (7件)： Kim Min-Hwi (Inter-University Semiconductor Research Center and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kim Sungjun (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju, South Korea) ,  Bang Suhyun (Inter-University Semiconductor Research Center and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kim Tae-Hyeon (Inter-University Semiconductor Research Center and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Lee Dong Keun (Inter-University Semiconductor Research Center and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Cho Seongjae (Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam-si, South Korea) ,  Park Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research Center and the Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 17  号： 4  ページ： 824-828  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文で著者らは,SiN_xベースの抵抗メモリ(RRAM)のスイッチング変動性に及ぼす追加の薄いSiO_2層の影響を研究した。著者らは,セット操作で発生した過剰なLRS状態が大きなリセット電流と急激なリセット動作をもたらすことを見出した。急激なリセット操作はHRSの大きな分布をもたらす。スイッチング手順の過渡特性を詳細に調べるために,測定環境を等価回路で実行し,装置から測定した電流を抵抗性メモリセルの容量性と抵抗性電流に分離した。結果として,大きな抵抗分布をもたらす過剰漏れ状態の原因として,セット動作で生じる内部オーバシュート電流を指摘した。最後に,RRAMの内部オーバシュート電流に及ぼす低抵抗状態値(R_LRS)とセル容量(C_DUT)の影響を確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 等価回路 ,  記憶素子 ,  過渡応答 ,  *スイッチング ,  I動作 ,  *電流 ,  *オーバシュート
準シソーラス用語： リセット電流 ,  二層 ,  一酸化ケイ素 ,  ReRAM ,  抵抗メモリ ,  抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： オーバシュート ,  抵抗スイッチングメモリ ,  均一性