文献

J-GLOBAL ID：201802286956264626   整理番号：18A1253107

ハイブリッド無機/有機半導体界面エネルギー準位に及ぼす表面状態とバルクドーピングレベルの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of surface states and bulk doping level on hybrid inorganic/organic semiconductor interface energy levels

著者 (5件)： Schultz T. (Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany) ,  Niederhausen J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Albert-Einstein-Strasse 15, 12489 Berlin, Germany) ,  Schlesinger R. (Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany) ,  Sadofev S. (Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany) ,  Koch N. (Institut fuer Physik & IRIS Adlershof, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Brook-Taylor-Strasse 6, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 24  ページ： 245501-245501-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 応用において,表面状態とバルクドーピング濃度は,バルク特性を決定し,デバイスの界面特性に実質的に影響を与えるので,無機半導体の重要なパラメータである。本研究では,nドープ無機半導体の表面への強い有機分子アクセプタの堆積による仕事関数の増加に及ぼす表面状態密度とバルクドナー濃度の影響を記述する定性的モデルを提供した。この仕事関数は分子層への電子移動により増加し,界面双極子の形成と表面バンド曲がりと呼ばれる無機半導体内部の表面近傍空間電荷領域の変化の2つの寄与を持つ。異なる表面調製法を用いることにより,表面状態密度が表面バンド曲がり変化を制限し,界面双極子を増強する方法を示した。両方とも光電子分光法により独立に測定した。さらに,無機半導体のバルクドナー濃度変化は,少なくとも10~19cm-3までの低~中程度のドナー濃度に対して,仕事関数変化に対する2つの寄与の比に対して小さい影響を有することを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空乏層 ,  電子移動 ,  状態密度 ,  *ドーピング ,  *有機半導体 ,  有機化合物 ,  *半導体 ,  仕事関数 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  *エネルギー準位 ,  *界面 ,  光電子分光法
準シソーラス用語： バンド曲がり ,  界面双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： 有機半導体 ,  界面エネルギー