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J-GLOBAL ID：201802286968389201   整理番号：18A1116461

バルクナノタンタルの電気抵抗率と初期磁化特性

Electrical resistivity and initial magnetization in bulk nanostructured Tantalum

著者 (12件)： 松崎陽平 (九州産業大) ,  西嵜照和 (九州産大 理工) ,  EDALATI K. (九大) ,  EDALATI K. (九大 カーボンニュートラル・エネルギー国際研) ,  LEE S. (富山大) ,  堀田善治 (九大) ,  堀田善治 (九大 カーボンニュートラル・エネルギー国際研) ,  阿久根忠博 (九州産大 理工) ,  坂本進洋 (九州産大 理工) ,  野島勉 (東北大 金属材料研) ,  井口敏 (東北大 金属材料研) ,  佐々木孝彦 (東北大 金属材料研)
資料名： 九州産業大学総合機器センター研究報告
号： 21  ページ： 1-8  発行年： 2018年03月31日 
JST資料番号： L5717A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 異なる数の回転Nに対して6GPaの圧力下で高圧ねじり(HPT)処理した,Taのバルクナノ構造超伝導体における抵抗率と磁化を測定した。HPT-TaにおけるタイプII超伝導の形成,およびHPTプロセスによる上部臨界磁場H_c2の増強を示した。伝導特性に及ぼすHPTの影響を,コヒーレンス長ξ,電子平均自由行程l,および臨界温度T_cのパラメータによって特徴付けられる,無秩序度の観点から議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *タンタル ,  *ナノ構造 ,  *電気抵抗率 ,  *磁化特性 ,  *圧力効果 ,  *ねじり加工 ,  *第二種超伝導体 ,  臨界磁場 ,  コヒーレンス長 ,  平均自由行程 ,  転移温度
準シソーラス用語： 上部臨界磁場 ,  電子平均自由行程 ,  超伝導臨界温度

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気抵抗率 ,  初期 ,  磁化特性