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J-GLOBAL ID：201802287030653162   整理番号：18A0283719

キャリア型の決定のための走査型容量顕微鏡におけるチップ枯渇誘導故障の研究【Powered by NICT】

Investigation of tip-depletion-induced fail in scanning capacitance microscopy for the determination of carrier type

著者 (4件)： Wang Lin (Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Lyon University, CNRS UMR 5270, INSA Lyon, 7 avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne, France) ,  Gautier Brice (Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Lyon University, CNRS UMR 5270, INSA Lyon, 7 avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne, France) ,  Sabac Andrei (Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Lyon University, CNRS UMR 5270, INSA Lyon, 7 avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne, France) ,  Bremond Georges (Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Lyon University, CNRS UMR 5270, INSA Lyon, 7 avenue Jean Capelle 69621 Villeurbanne, France)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 174  ページ： 46-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型容量顕微鏡(SCM)は,リンその濃度範囲をドープしたn型Si多層構造で実施した2×10~17から2×10~19cm~ 3することであった。三種類のチップを用いて,新鮮なPt/Ir被覆チップ,摩耗したPt/Ir被覆チップと非被覆市販Siチップした。新鮮なPt/Ir被覆チップの使用は,キャリアタイプの正確な同定を含むドーピングプロファイルと良く一致しSCM結果を生成した。とは対照的に,その金属被覆及び非被覆チップを失った摩耗Pt/Ir被覆チップは,チップ枯渇効果によって,8×10~18cm~ 3(nの代わりにpとして同定)以上のりんドーパント濃度のキャリア型を認識するために失敗するであろう。これらの結果は,SCMの結果を注意深く解釈する,特に未知関心の試料内のキャリア型の同定のための場合にすることを警告するであろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 白金 ,  メタライゼーション ,  ドーピング ,  イリジウム ,  摩耗 ,  被覆 ,  ドーパント ,  リン ,  多層構造 ,  *故障
準シソーラス用語： ドーピングプロファイル ,  シリコンチップ ,  *走査型容量顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 走査型容量顕微鏡法 ,  キャリア型 ,  先端枯渇 ,  二次元ドーパント/キャリアプロファイリング

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリア ,  走査型容量顕微鏡 ,  枯渇 ,  誘導 ,  故障 ,  研究