III族窒化物エピタキシャル成長のためのパターン化サファイア基板

OMIYA Natsuko; AIDA Hideo; KIMURA Yutaka; KAWAMATA Yuki; KIM Seong-Woo; UNEDA Michio

文献

J-GLOBAL ID：201802287044259625 整理番号：18A0502700

III族窒化物エピタキシャル成長のためのパターン化サファイア基板

Patterned Sapphire Substrates for III-Nitride Epitaxial Growth

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 12 号： 2 ページ： 179-186 発行年： 2018年03月05日
JST資料番号： L0997B ISSN： 1881-7629 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

LEDの内部量子効率(IQE)及び光抽出効率(LEE)を改善するためのパターン化サファイア基板(PSS)の有効性を調べるために,GaNベースの発光ダイオード(LED)をPSS上にエピタキシャル成長させた。X線回折(XRD)及び光出力測定を使用して,PSSがLEDフィルムの結晶品質を改善し,LED光強度が向上することを観察した。これらの実験結果に基づいて,光強度の増強がIQEまたはLEEの改善に起因する可能性があるかどうかについて検討した。計算によるLEDチップの発光面積と測定した光出力との比較によって光強度に対するIQE改善の寄与を推定した。その結果,IQEの改善が光強度の増加の主原因ではなく,PSSが主にLEEを改善することを示した。PSS上の計算したバンプ数とLEDの測定光出力との比較により,バンプ数の増加がLEEの改善に影響を与える可能性があることを示唆した。(翻訳著者抄録)

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その他の無機化合物の薄膜 , その他の無機化合物の結晶成長 , 固体デバイス材料

引用文献 (31件)：

H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, “P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI),” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.28, L2112, 1989.
S. Nakamura, “GaN Growth Using GaN Buffer Layer,” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.30, Part 2, 10A, L1705, 1991.
S. W. Kim, H. Aida, and T. Suzuki, “Effect of Substrate Mis-Orientation on GaN Thin Films Grown by MOCVD Under Different Carrier Gas Condition,” Phys. Stat. Sol. (c), Vol.2, Issue 7, pp. 2170-2173, 2005.
S. W. Kim, H. Aida, and T. Suzuki, “The Effect of a Slight Mis-Orientation Angle of C-Plane Sapphire Substrate on Surface and Crystal Quality of MOCVD Grown GaN Thin Films,” Phys. Stat. Sol. (c), Vol.1, Issue 10, pp. 2483-2486, 2004.
S. W. Kim, H. Aida, and T. Suzuki, “Influence of Mis-Orientation of C-plane Sapphire Substrate on the Early Stages of MOCVD Growth of GaN Thin Films,” Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.831, E3.40, 2011.

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