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J-GLOBAL ID：201802287239615157   整理番号：18A1185274

Co注入法によって製作したGe n型接合の注入エネルギー依存構造特性

Implantation Energy Dependent Structural Characteristic of Ge n-Type Junction Prepared by Co-Implantation Technique

著者 (8件)： HASSAN Zul Hasyidi (Universiti Teknologi Malaysia) ,  AZIZ Umar Abdul (Universiti Teknologi Malaysia) ,  RASHID Nur Nadhirah Mohamad (Universiti Teknologi Malaysia) ,  AID Siti Rahmah (Universiti Teknologi Malaysia) ,  CENTENO Anthony (Universiti Teknologi Malaysia) ,  SUWA Akira (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  XIE Fang (Imperial Coll. London, GBR)
資料名： プラズマ応用と複合機能材料  (Conference Journal of the IAPS Meeting)
巻： 26  ページ： 66  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： L6242A  ISSN： 1340-9557  CODEN： POFZFU  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *注入 ,  コバルト ,  ゲルマニウム ,  *PN接合 ,  *MOSFET ,  レーザアニーリング
準シソーラス用語： コバルト注入

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： CO ,  注入 ,  製作 ,  Ge ,  エネルギー ,  構造特性