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J-GLOBAL ID：201802287586618275   整理番号：18A0536745

二重トレンチ4H SiC UMOSFETの増強されたモデルとしてのSiC MOSFET【Powered by NICT】

A double trench 4H - SiC MOSFET as an enhanced model of SiC UMOSFET

著者 (4件)： Oraon Alisha (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi, Jharkhand, India) ,  Shreya Shradha (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi, Jharkhand, India) ,  Kumari Renuka (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi, Jharkhand, India) ,  Islam Aminul (Department of Electronics and Communication Engineering, Birla Institute of Technology, Mesra, Ranchi, Jharkhand, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISED  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重トレンチ4H SiC MOSFETはゲート酸化物の絶縁破壊を防止するためのp+遮蔽を有するSiC従来のUMOSFETのための強化されたモデルとして提示した。両ゲートとソース溝を持つ二重トレンチ構造を提案した。二重トレンチ構造は,ゲート酸化膜の底部における電場を低下させた。このようにして,二重トレンチ構造を有するUMOSFETのモデルを最適化するには,破壊電圧(BV)を増加させた。高いBVは従来のSiC UMOSFETと比較して達成され,全体的な性能指数(FoM)のかなりの値への増加をもたらした。達成されたBVは1450Vであり,オン状態比抵抗(R_ON.)は計算に0.495とFoM与える4.24mΩcm~2であった。FoMは,従来のSiC UMOSFETに比べて36.3%改善された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  性能指数 ,  *炭化ケイ素 ,  電場 ,  最適化 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： オン状態 ,  絶縁破壊電圧 ,  ゲート酸化膜 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチ ,  SiC ,  増強 ,  モデル ,  MOSFET