文献

J-GLOBAL ID：201802287791523363   整理番号：18A0968438

(201)β-Ga_2O_3上のALD HfO_2高k誘電体の電気特性評価【JST・京大機械翻訳】

Electrical characterization of ALD HfO₂ high-k dielectrics on (201) β-Ga₂O₃

著者 (7件)： Shahin David I. (Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA) ,  Tadjer Marko J. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Wheeler Virginia D. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Koehler Andrew D. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Anderson Travis J. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Eddy Charles R. Jr. (U.S. Naval Research Laboratory, Washington, DC 20375, USA) ,  Christou Aris (Department of Materials Science and Engineering, University of Maryland, College Park, Maryland 20742, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 4  ページ： 042107-042107-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型(201)β-Ga_2O_3上の175°Cでの熱原子層蒸着により成長させたHfO_2誘電体の電気的品質を,金属-酸化物-半導体キャパシタ上の容量-および電流-電圧測定により研究した。これらのコンデンサは,10kHzと1MHzの間で測定されたとき,低ヒステリシスと伸長を伴う二重掃引容量-電圧曲線およびk~14の周波数安定誘電率を含む優れた電気特性を示した。C-V曲線は3.5~5Vの掃引時に理想的な場合に比べて均一で再現性のある+1.05Vシフトを示し,nチャネルGa_2O_3デバイスに対して有用な正の平坦バンド(+2.15V)と閾値(+1.05V)電圧を与えた。Terman法を用いて,伝導帯端の下の0.2~0.6eVの間で,1.3×10~11cm~-2eV-1の平均界面トラップ密度を得た。順方向バイアス電流-電圧特性は,5MV/cmの電界強度でFowler-Nordheimトンネリングモデルにうまく適合し,HfO_2とGa_2O_3の間の1.3eV伝導帯オフセットの抽出を可能にし,X線光電子分光法から以前に決定した値と一致した。しかし,漏れ電流の温度依存性が観察された。これらの結果は,HfO_2がGa_2O_3デバイス応用の魅力的な誘電体であることを示唆する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  電圧 ,  X線光電子スペクトル ,  周波数安定度 ,  電界強度 ,  誘電率 ,  ヒステリシス ,  電圧測定 ,  コンデンサ ,  *電気特性 ,  温度依存性 ,  酸化物 ,  界面 ,  漏れ電流 ,  *誘電体
準シソーラス用語： *高k誘電体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  高k誘電体 ,  電気特性 ,  評価