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J-GLOBAL ID：201802287806218324   整理番号：18A0163333

CMOS45nm技術におけるtrng応用のための拡散ビット発生器モデル【Powered by NICT】

Diffused bit generator model for trng application at CMOS 45nm technology

著者 (6件)： Rajagopalan Sundararaman (School of EEE, SASTRA University) ,  Rethinam Sivaraman (School of EEE, SASTRA University) ,  Lakshmi Govindu (School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India) ,  Mounika Police (School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India) ,  Vani Ravulapenta (School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India) ,  Chandana Dasari (School of EEE, SASTRA University Tamilnadu, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMDCS  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真の乱数発生器(TRNG)はさまざまな情報セキュリティ応用における優れた位置を占めている。乱数は,一様分布の特性を持つ必要がある一つであり,静的に無関係であった。拡散ビット発生器(DBG)は,ランダムビット列を生成するための信頼性の高いエントロピー源とコア成分である。DBGから発生したビットは,通常,さらにnビット乱数発生のためのサンプリングした。本研究では,LFSR(線形フィードバックシフトレジスタ)およびCA(セルラオートマトン)の統合で構成されたDBGユニットのASIC実装を提案した。このモデルは,45nm技術と歩調すばらしいツールを用いて設計しシミュレートした。設計を検証するために,過渡,ACおよびDC解析を行った。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エントロピー ,  乱数発生 ,  信頼性 ,  歩容 ,  セルラオートマトン ,  情報セキュリティ ,  ASIC ,  乱数発生器 ,  *乱数
準シソーラス用語： LFSR ,  一様分布 ,  *再生器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  拡散 ,  ビット ,  発生器 ,  モデル