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J-GLOBAL ID：201802287895440523   整理番号：18A1255098

バルクFinFET技術におけるプラズマ誘起損傷の因子分析【JST・京大機械翻訳】

Factor Analysis of Plasma-Induced Damage in Bulk FinFET Technology

著者 (2件)： Hiblot Gaspard (imec, Leuven, Belgium) ,  Van der Plas Geert (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 7  ページ： 927-930  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,因子分析を用いて,バルクFinFET技術における他のFEOLとBEOLパラメータとプラズマ誘起損傷の隠れた依存性と相関を調べた。最初に,試験構造を記述し,プラズマ損傷から生じる閾値電圧シフトの量を特性化した。次に,考慮した異なるパラメータをリストアップし,抽出した。最後に,それらを統計的減少と因子分析を用いてトランジスタに影響を与える損傷の量と相関させた。考慮したパラメータによるシフトの共有性がプラズマ損傷MOSFETデバイスの劣化した変動性を部分的に説明できることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： MOSFET ,  *プラズマ ,  キャラクタリゼーション ,  トランジスタ ,  *因子分析
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  プラズマ損傷 ,  BEOL ,  FEOL ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  FinFET ,  プラズマ ,  誘起 ,  損傷 ,  因子分析