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J-GLOBAL ID：201802288222865042   整理番号：18A1149833

短チャネル非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのパラメータ抽出法に関する包括的研究【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive investigation on parameter extraction methodology for short channel amorphous-InGaZnO thin-film transistors

著者 (2件)： Tanaka Chika (Future Memory Development Department, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research & Development, Toshiba Memory Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan) ,  Ikeda Keiji (Future Memory Development Department, Device Technology Research & Development Center, Institute of Memory Technology Research & Development, Toshiba Memory Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICMTS  ページ： 23-26  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 測定データとTCADシミュレーションに基づいて,短チャネル非晶質InGaZnO(α-InGaZnO)薄膜トランジスタ(TFT)に対する包括的なパラメータ抽出法を提案した。チャネル長変調モデリングによるRPIα-Si TFTモデルを用いて,500nmまでのチャネル長に対して単一パラメータセットを成功裏に抽出した。抽出されたパラメータはα-InGaZnO TFTの物理的挙動に対応するので,より正確で拡張可能な回路性能の特性化を可能にする。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  キャラクタリゼーション ,  シミュレーション ,  *非晶質 ,  回路特性 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： チャネル長 ,  TCAD ,  *パラメータ抽出 ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短チャネル ,  非晶質 ,  トランジスタ ,  パラメータ ,  抽出法 ,  研究