文献

J-GLOBAL ID：201802288287356784   整理番号：18A0969182

準バリスティックIII-窒化物高電子移動度トランジスタの解析的電流-電圧モデル【JST・京大機械翻訳】

An analytic current-voltage model for quasi-ballistic III-nitride high electron mobility transistors

著者 (2件)： Li Kexin (Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, New York 11201, USA) ,  Rakheja Shaloo (Department of Electrical and Computer Engineering, New York University, Brooklyn, New York 11201, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 18  ページ： 184501-184501-13  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネル内の輸送が本質的に準バリスティックであるスケールIII-窒化物高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるDC電流-電圧(I-V)関係を記述する解析モデルを提示した。ドレイン端子から負の運動状態を組み込んだ二次元静電学に基づくLanduの輸送理論と電荷計算に従って,端子電圧の関数として電流の解析式を開発した。このモデルは,非自己整合HEMTにおけるアクセス領域の非線形性を解釈する。温度依存熱伝導率によるJoule加熱の効果を自己無撞着な方法でモデルに組み込んだ。合計26の入力パラメータにより,解析モデルは既存のGaN HEMTモデルと比較して減少した経験を提供した。このモデルを検証するために,42と105nmのチャネル長をもつInGaNバックバリアHEMTをもつInAlN/GaNの実験的I-Vデータを考察した。さらに,このモデルを,50nmのゲート長を有する意図的にドープされていないAlGaN-on-GaN HEMTのDC流体力学シミュレーションから得られた数値I-Vデータに対して検証した。このモデルを150nm TゲートGaN HEMTのパルスI-V測定に対しても検証した。出力電流,相互コンダクタンスおよび出力コンダクタンスに対するモデルと実験および数値結果の間の優れた一致を,広い範囲のバイアスおよび温度条件にわたって実証した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電圧 ,  二次元 ,  コンダクタンス ,  *HEMT ,  解析モデル ,  熱伝導率 ,  チャネル ,  バイアス ,  自己整合 ,  *電流 ,  温度依存性 ,  電荷 ,  相互コンダクタンス ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： GaN HEMT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： バリ ,  スティック ,  窒化物 ,  高電子移動度トランジスタ ,  解析 ,  モデル