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J-GLOBAL ID：201802288332180181   整理番号：18A0525950

純粋及びX修飾(X=Sc,Ti,Cr,Mn)MoS_2単分子層によるフェノールおよびヒドラジンの吸着【Powered by NICT】

Adsorption of phenol and hydrazine upon pristine and X-decorated (X = Sc, Ti, Cr and Mn) MoS₂ monolayer

著者 (4件)： Wang Meiyan (Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Wang Wei (College of Physical Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064, China) ,  Ji Min (Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu 610065, China) ,  Cheng Xinlu (Institute of Atomic and Molecular Physics, Sichuan University, Chengdu 610065, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 439  ページ： 350-363  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いて,純粋および修飾MoS_2単分子層上でのフェノール(C_6H_5OH)とヒドラジン(N_2H_4)の理論的研究を提示した。本研究では,最初のいくつかの金属原子とMoS_2単分子層間の相互作用に焦点を合わせ,そして基質であることSc,Ti,CrおよびMnで修飾されたMoS_2ナノシートを選択した。さらに,純粋及びXドープ(X=Sc,Ti,CrおよびMn)MoS_2母材へのフェノールおよびN_2H_4の特性は,吸着エネルギー,吸着距離,電荷移動,電荷密度差,HOMOおよびLUMO分子軌道と状態密度(DOS)の観点から議論した。結果はX修飾MoS_2単分子層によるフェノールおよびヒドラジンの吸着は単離したものへの吸着,Sc,Ti,CrおよびMnドーピングは吸着能力を改善するのに役立つことを示しより有利であることを予測した。計算は,元のものよりSc ,Ti ,グランドMnドープシステムのための短い吸着距離とより多くの電荷移動を示した。結果はXドープMoS_2単分子層は毒性フェノールとヒドラジンのための効果的で潜在的な吸着剤として使用できることを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸着剤 ,  *マンガン ,  *単分子層 ,  LUMO ,  密度汎関数法 ,  *ヒドラジン ,  電荷移動 ,  吸着エネルギー ,  ナノシート ,  *吸着 ,  HOMO ,  状態密度 ,  ドーピング ,  フェノール類
準シソーラス用語： 電荷密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MoS_2 ,  金属修飾 ,  吸着エネルギー ,  DFT ,  C_6H_5OH ,  N_2H_4

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： フェノール

タイトルに関連する用語 (8件)： 修飾 ,  Ti ,  Cr ,  Mn ,  単分子層 ,  フェノール ,  ヒドラジン ,  吸着