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J-GLOBAL ID：201802289051059951   整理番号：18A1210953

積層HfOx/ZrY/HfOx MOSFETの劣化と回復の観察【JST・京大機械翻訳】

Observation of degradation and recovery of stacked HfOx/ZrOy/HfOx MOSFETs

著者 (6件)： Chang Chih-Chieh (Inst. of Mechatronic Engineering) ,  Sung Shun-Ping (Inst. of Mechatronic Engineering) ,  Huang Heng-Sheng (Inst. of Mechatronic Engineering) ,  Chen Shuang-Yuan (Inst. of Mechatronic Engineering) ,  Wang Shea-Jue (Dept. of Materials and Resources Engineering, National Taipei University of Technology, Taipei 10608, Taiwan) ,  Wang Mu-Chun (Dept. of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISNE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfOx/ZrOy/HfOz(HZH)のプロファイルを有する28nmhafニウムベースのゲート誘電体を原子層堆積(ALD)技術によって蒸着した。積層高k層上の異なる窒化及びアニーリング過程条件を適用して,素子性能の促進を調べた。誘電完全性を明らかにするための有効応力法の一つは電圧傾斜絶縁破壊(VRDB)である。順方向または逆方向バイアスを有するこの応力法を用いて,試験した素子の劣化または回復効率を,応力誘起漏れ電流(SILC),ソフト破壊(SBD),進行性破壊(PBD),およびハード破壊(HBD)の性能で示すことができた。可能な分解と回復機構も研究し,高k層の品質に影響する窒化とアニーリングの関係を明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MOSFET ,  バイアス ,  品質 ,  有効応力 ,  窒化 ,  進行性破壊 ,  完全性 ,  焼なまし ,  電圧 ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： SILC ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  回復 ,  観察