短時間フラッシュランプアニーリングにより達成された高活性化到達過飽和【JST・京大機械翻訳】

Tanimura Hideaki; Inoue Kenji; Kawarazaki Hikaru; Yamada Takahiro; Fuse Kazuhiko; Aoyama Takayuki; Kato Shinichi; Kobayashi Ippei

文献

J-GLOBAL ID：201802289055159014 整理番号：18A0728884

短時間フラッシュランプアニーリングにより達成された高活性化到達過飽和【JST・京大機械翻訳】

High activation reaching supersaturation achieved by short-duration flash lamp annealing

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資料名：
巻： 2018 号： IWJT ページ： 1-4 発行年： 2018年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

著者らは,先端デバイスを含むすべてのCMOS技術ノードに対して短い持続時間と高い出力電力を有するフラッシュランプを特徴とする新しいフラッシュランプアニーリング(FLA)システムを開発している。このシステムにより,より低い熱収支とより高いピーク温度(ジャンプ温度)を実現できる。著者らの従来のFLAツールは,0.8から100msまでのアニーリング時間で,広い範囲のアニーリング条件を有する。このシステムのFLA条件の持続時間は,開発中で,深いサブミリ秒レベルに拡張でき,従来のツールに相補的になる。本報告では,新しいプロトタイプシステムからの初期データを提示した。データは,より高い活性化が達成できることを明確に示した。特に,4.6×10~20cm-3の過飽和活性化が,p+/n Si接合において5.8nmのわずかな拡散で達成できた。さらに,Hall効果測定は,多結晶Si(poly-Si)において10~20cm-3までの高いキャリア濃度を明らかにした。これらの結果は,新しいシステムがSiとpoly-Si中に最小の拡散を有する高活性化接合を形成する可能性を有し,高性能デバイスの作製に寄与できることを示している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜

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