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J-GLOBAL ID：201802289172080476   整理番号：18A0150993

ジルコニウム酸化物ゲート誘電体を用いたマグネトロンスパッタリングにより成長させた室温処理ZnO薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Room Temperature Processed ZnO Thin Film Transistors Grown by Magnetron Sputtering Using Zirconium Oxide Gate Dielectric

著者 (2件)： A. V. Ali Muhammed (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal University, Manipal 576104, India) ,  Kekuda Dhananjaya (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal University, Manipal 576104, India)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700113  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ジルコニウム(ZrO_2)を持つ室温処理ZnO薄膜トランジスタ(TFT)をゲート誘電体,dcマグネトロンスパッタリングにより作製したとして実証した。光学的,構造的,および電気的性質に及ぼすZrO_2薄膜の酸素流量依存性を調べた。粒径6.2 16.8nmのナノ結晶ZrO_2膜は室温で得られ,粒径は蒸着中の酸素流量の関数であることが分かった。ゲート誘電体の電気的特性評価は,デバイス構造Al ZrO_2~-Alを用いて行った。漏れ特性と誘電定数は異なる酸素流速で成長させたゲート誘電体に対して計算した。さらに,ボトムゲートスタガードZnO薄膜トランジスタを配置glass/Al/ZrO_2/ZnO/Alを用いて作製した,デバイスは電界効果移動度≒43cm~2V~ 1s~ 1の1.5Vの低い動作電圧と10~3のオン/オフ比を示した。本研究では,次世代ディスプレイ技術のための低動作電圧TFTの可能性につながる可能性がある。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  *酸化ジルコニウム ,  酸素 ,  電気的性質 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  粒径 ,  *薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  ナノ結晶 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  電界効果移動度 ,  酸素流量 ,  流量依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界効果移動度 ,  優先配向 ,  室温製作 ,  酸化ジルコニウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： ジルコニウム酸化物 ,  ゲート誘電体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  室温 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ