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J-GLOBAL ID：201802289554079120   整理番号：18A0610153

誘電体としての化学蒸着した六方晶窒化ホウ素を用いた電子デバイスにおけるバイモーダル誘電体ブレークダウン【Powered by NICT】

Bimodal Dielectric Breakdown in Electronic Devices Using Chemical Vapor Deposited Hexagonal Boron Nitride as Dielectric

著者 (7件)： Palumbo Felix (National Scientific and Technical Research Council (CONICET)/GAIANN-CAC-CNEA, Nanoelectronics Laboratory National Technological University (UTN-FRBA), Medrano, 951, Buenos Aires, Argentina) ,  Liang Xianhu (Institute of Functional Nano and Soft Materials, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Yuan Bin (Institute of Functional Nano and Soft Materials, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Shi Yuanyuan (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, 94305, USA) ,  Hui Fei (Cambridge Graphene Centre, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Ave, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Villena Marco A. (Institute of Functional Nano and Soft Materials, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Lanza Mario (Institute of Functional Nano and Soft Materials, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University, 199 Ren-Ai Road, Suzhou, 215123, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700506  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層六方晶窒化ホウ素(h BN)はグラフェンとMoS_2と良好な相互作用を示す絶縁2D材料であり,これからの2D材料ベース電子デバイスのための非常に有望な誘電体であると考えられている。以前の研究は,導電性原子間力顕微鏡により,非常に高い電圧(>10 V)を適用して厚い(>10 nm)機械的に剥離したh-BNナノフレーク(直径<20μm)の誘電特性を解析した;が,これらの方法はスケーラブルではない。本研究では,大面積h-BN誘電体スタック(化学蒸着により成長させた)の最初のデバイスレベル信頼性研究を提示し,完全な絶縁破壊(BD)プロセスについて述べた。実験と計算は,0.1A cm~ 2までの電流密度が達成されるまでmetal/h BN/metalデバイスにおけるBDプロセスはh-BNスタックを超えた進行性電流増加で始まることが分かった。後,電流は突然ステップ,大きな(>1桁,1/数h-BN層のBDに関連)あるいは小(1次,BDの横方向伝搬に関連し<)によって増加した。h-BNここに示した(導電性原子間力顕微鏡により検出できない)の二峰性BDプロセスである誘電体としてh-BNを用いた2D材料ベース電子デバイスの信頼性を理解するために必須である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  信頼性 ,  グラフェン ,  *誘電体 ,  電圧 ,  電流密度 ,  多層 ,  電流 ,  *化学蒸着 ,  相互作用 ,  二次元
準シソーラス用語： 大面積 ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  *電子素子 ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷捕獲 ,  絶縁破壊(BD) ,  六方晶窒化ホウ素(h BN) ,  信頼性 ,  ストレス誘起漏れ電流(SILC)

分類 (5件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電体 ,  化学蒸着 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  電子デバイス ,  ブレークダウン