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J-GLOBAL ID：201802289613879751   整理番号：18A0610152

La_2/3Sr_1/3VO_3薄膜:非常に高い性能指数をもつ新しいp型透明導電性酸化物【Powered by NICT】

La_2/3Sr_1/3VO₃ Thin Films: A New p-Type Transparent Conducting Oxide with Very High Figure of Merit

著者 (14件)： Hu Ling (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Wei Renhuai (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Yan Jian (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Wang Dong (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Tang Xianwu (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Luo Xuan (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Song Wenhai (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Dai Jianmin (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Zhu Xuebin (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Zhang Changjin (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Zhang Changjin (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China) ,  Sun Yuping (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Sun Yuping (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Sun Yuping (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700476  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)は電気伝導率を組み合わせた光透過性を有する材料のユニークなシリーズである。市販のTCOの大部分はn型である。が,p型TCOの性能は主にドーピングボトルネックと低い正孔移動度に起因するn型TCO対応物からかなり遅れている。LaVO_3のMott-Hubbard絶縁体はp型TCOを探索するための出発点として提案した。Sr~2+によるLa~3+の置換はドーピングボトルネックを克服するために価電子帯のトップでの高い正孔キャリア濃度を導入することができる。適度なキャリア移動度の組み合わせ可視領域で弱い吸収,La_1-xSr_xVO_3化合物は新しいp型TCOとして役立ち,電気伝導率と光透過性の間のトレードオフの良好なバランスを示した。La_2/3Sr_1/3VO_3薄膜は可視域,これまでp型TCO間の最高の性能指数をもたらすで室温と53.9 70.1%の高透過率742.3 872.3Scm~ 1の高い伝導率を示すことを実証した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁体 ,  キャリア移動度 ,  *薄膜 ,  キャリア密度 ,  電気伝導率 ,  透光性 ,  正孔 ,  *性能指数 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 伝導率 ,  可視領域 ,  正孔移動度 ,  *透明導電性酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 性能指数 ,  正孔ドーピング ,  Mott-Hubbard絶縁体 ,  ペロブスカイト ,  p型透明導電性酸化物

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  性能指数 ,  透明導電性酸化物