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J-GLOBAL ID：201802289617516215   整理番号：18A0930289

低プロセス温度で作製した高電子移動度のIn_2O_3ベース透明導電性酸化物膜【JST・京大機械翻訳】

In₂O₃-Based Transparent Conducting Oxide Films with High Electron Mobility Fabricated at Low Process Temperatures

著者 (3件)： Koida Takashi (Research Center for Photovoltaics National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan) ,  Ueno Yuko (Research Center for Photovoltaics National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan) ,  Shibata Hajime (Research Center for Photovoltaics National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 7  ページ： e1700506  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高効率太陽電池とフレキシブル光電子デバイスのための新しい技術的要求は,透明導電性酸化物(TCO)電極に関する研究を刺激した。高移動度TCOは,改善された可視および近赤外透明度を有する高伝導率を達成するために必要である。しかし,熱感受性層または基板上のTCO膜の作製は,作製温度とTCO特性の間のトレードオフによって制約される。歴史的に,Snドープ酸化インジウムと非晶質In-Zn-Oを標準TCOとして用いて,低い製造温度を用いて高い移動度を達成した。しかし,非常に高い移動度をもつ二つの多結晶In_2O_3膜が最近報告されている。すなわち,Snの代わりに金属(Ti,Zr,Mo,またはW)不純物をドープした多結晶(ポリ)In_2O_3膜は,150~200°Cの低温で処理したときに,100cm~2V~-1s-1以上の移動度を示す。[P_2O_3:h]とIn_2O_3:Ce,H膜は,100cm~2V~-1s-1以上の移動度を示す。ここでは,ポリ-In_2O_3,In_2O_3:W,およびIn_2O_3:Ce膜およびsp-In_2O_3:H,In_2O_3:W,H,およびIn_2O_3:Ce,H膜を作製した。これらの膜の比較研究は,i)金属ドーパント種の効果を明らかにした;2)金属と水素の共ドーピング;3)得られた輸送特性に関する固相結晶化プロセス。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化インジウム ,  非晶質 ,  近赤外線 ,  *移動度 ,  太陽電池 ,  ドーピング ,  スズ ,  多結晶 ,  透明度 ,  不純物 ,  ドーパント ,  結晶化
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  *透明導電性酸化物 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドーピング ,  酸化インジウム ,  モビリティ ,  固相結晶化 ,  透明導電性酸化物

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロセス温度 ,  作製 ,  電子移動度 ,  透明導電性酸化物