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J-GLOBAL ID：201802289626153822   整理番号：18A1391578

Na_0.5Bi_0.5TiO_3薄膜の構造と電気的性質に及ぼすTiサイトにおけるドナーWとアクセプタNi共ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of donor W and acceptor Ni codoping at Ti site on the structure and electrical properties of Na_0.5Bi_0.5TiO₃ thin film

著者 (5件)： Lv P.P. (Shandong Provincial Key Laboratory of Preparation and Measurement of Building Materials, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Huang S.F. (Shandong Provincial Key Laboratory of Preparation and Measurement of Building Materials, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Cheng X. (Shandong Provincial Key Laboratory of Preparation and Measurement of Building Materials, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Yang C.H. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China) ,  Yao Q. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan 250022, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 44  号： 13  ページ： 15236-15242  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純Na_0.5Bi_0.5TiO_3(NBT),ドナーW6+ドープNBT(NBTW),アクセプタNi2+ドープNBT(NBTNi),ならびにドナーW6+とアクセプタNi2+共ドープNBT(NBTWNi)多結晶膜を化学溶液堆積法により酸化インジウムスズ(ITO)/ガラス基板上に作製した。NBT膜の結晶性,強誘電及び誘電特性に及ぼす原子価イオン置換の役割を主に調べた。ali価イオンの導入により,ドープ膜の表面はより均一になり,漏れ電流は減少した。良く飽和した分極-電場(P-E)ループは,他の膜と比較して,その最低の漏れ電流のために,W6+とNi2+を共ドープしたNBT膜で観察できる。また,容量-電圧(C-V)曲線に及ぼす電圧と周波数の影響およびNBTWNi膜に対する誘電同調性について議論した。強誘電特性と誘電特性はNBTWNi膜で大きく改善され,これは高原子価W6+と低原子価Ni2+イオンの相乗効果に起因する。アクセプタとドナーカチオン間の協力はNBT膜中の移動性酸素空孔を効果的に除去できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多結晶 ,  *ニッケル ,  原子価 ,  *ドナー ,  強誘電性 ,  電場 ,  分極 ,  *アクセプタ ,  電圧 ,  漏れ電流 ,  誘電性 ,  イオン ,  *ドーピング ,  *薄膜
準シソーラス用語： *共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ドナー ,  アクセプタ ,  共ドーピング ,  構造 ,  電気的性質 ,  薄膜

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  電気的性質 ,  Ti ,  ドナー ,  アクセプタ ,  Ni ,  共ドーピング