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J-GLOBAL ID：201802289701019923   整理番号：18A1683387

40nm世代プラットフォームに基づくシリコンフォトニクスIC技術を可能にする1.2TBPS/CM2【JST・京大機械翻訳】

1.2 Tbps/cm² Enabling Silicon Photonics IC Technology Based on 40-nm Generation Platform

著者 (20件)： Mogami Tohru (Photonics Electronics Technology Research Association, Tsukuba, Japan) ,  Horikawa Tsuyoshi (Photonics Electronics Technology Research Association, Tsukuba, Japan) ,  Kinoshita Keizo (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Hagihara Yasuhiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Ushida Jun (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Tokushima Masatoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Fujikata Junichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Takahashi Shigeki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Shimizu Takanori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Ukita Akio (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Takemura Koichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Kurihara Mitsuru (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Yashiki Kenichiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Okamoto Daisuke (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Suzuki Yasuyuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Sobu Yohei (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Jeong Seok-Hwan (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Tanaka Yu (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Nakamura Takahiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan) ,  Kurata Kazuhiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 36  号： 20  ページ： 4701-4712  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40nmノードCMOS技術に基づくシリコンフォトニクスプラットフォームを用いて,それぞれ25mm2のフットプリントを持つ光送信機と受信機ICを製作した。300Gbpsでのデータの高速伝送を実証した。送信機ICにおけるワイヤ型導波路(WG)は350nmの幅と200nmの高さを有し,完成した光ICにおいて,Oバンド横方向電気モードに対して低い伝搬損失(1.62dB/cm)を示し,3σにおいて低い伝搬損失変動(0.15dB/cm)を示した。格子結合器の結合損失は70nmの狭いトレンチ幅を持つアポディゼイション構造を用いることにより2.7dBに低減した。多数のマイクロリング共振器を用いたスペクトル変動解析により確認されたように,WG幅のウエハスケール再現性は優れていた。光受信器の表面照射光検出器(PD)をゲルマニウムエピタキシャル膜を用いて作製し,3Vで10nA以下の漏れ電流と0.75A/Wの応答性を有した。光送信機のPN接合型Mach-Zehnder変調器の変調効率は0Vで1.3V cm-1であった。300mmウエハ上のPDと変調器の均一性は非常に高かった。作製した光送信機と受信機ICを用いて,Oバンド(1.3μm)における最大12の25Gbpsまでのデータ伝送を実証した。さらに,1:4チャネル遅延干渉計に基づくデ多重クシングにおける低損失フィルタリング動作は,より高速なデータ伝送さえ可能にすることを示した。これらの結果は,シリコンフォトニクスプラットフォームが広帯域光ICの作製に非常に有用であることを示している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高速度 ,  変調器 ,  導波路 ,  多重化 ,  受信機 ,  広帯域 ,  光集積回路 ,  *送信機 ,  フィルタリング ,  チャネル ,  光検出器 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： データ伝送 ,  伝搬損失 ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 世代 ,  プラットフォーム ,  シリコンフォトニクス ,  IC