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J-GLOBAL ID：201802289867329320   整理番号：18A1489863

HFトップ電極によるHfO_2ベース抵抗メモリにおける増強磁気変調【JST・京大機械翻訳】

Enhanced magnetic modulation in HfO₂-based resistive memory with an Hf top electrode

著者 (5件)： Guo Jiajun (College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China) ,  Kang Xin (College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China) ,  Gao Yingjie (College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China) ,  Chen Wei (College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China) ,  Zhao Xu (College of Physics and Information Engineering, Hebei Advanced Thin Films Laboratory, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050024, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 4  ページ： 043502-043502-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化物ベースの抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)における磁気変調は将来のエレクトロニクスへの応用に有望である。しかし,非ドープ二元酸化物膜における小さな磁化変化と大きな動作電圧は,その実用的な応用を困難にしている。本研究では,トップ電極(TE)としてTiまたはHfを用いたHfO_2膜に基づくRRAMデバイスにおける磁気スイッチング挙動を調べた。Hf TEを用いた素子において,HfO_2膜の大幅に増強された磁気変調と減少した動作電圧を実証した。HfO_2膜の飽和磁化は,0.4/0.3Vのセット/リセット電圧の下で,高抵抗状態におけるよりも低抵抗状態において4倍以上大きい。これらの結果は,金属Hfに対する酸化物形成の高い標準Gibbsエネルギーの二つの因子に関連することを提案した。そして,ハフニウム(Hf TEから生じる)とデバイス中の酸素の二重イオン拡散である。本研究は,適切なTEを選択することにより,金属酸化物中の磁性の電気的制御のための増強された能力が得られることを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *磁気 ,  飽和磁化 ,  酸化物 ,  Gibbs自由エネルギー ,  チタン ,  金属酸化物 ,  磁性 ,  電子技術 ,  酸素 ,  酸化膜 ,  *ハフニウム ,  磁化 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 動作電圧 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： HF ,  トップ ,  抵抗メモリ ,  増強