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J-GLOBAL ID：201802290033144470   整理番号：18A1777890

WC(0001)表面上のホルムアルデヒド吸着と分解の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

A theoretical study of formaldehyde adsorption and decomposition on a WC (0001) surface

著者 (5件)： Wang Dandan (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, P. R. China. [e-mail]) ,  Fan Yingying ,  Sun Zhonghui ,  Han Dongxue ,  Niu Li
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 57  ページ： 32481-32489  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HCHO吸着と分解のための効率的な吸着剤の設計と探索に多くの研究が払われている。ここでは,第一原理計算によりHCHO吸着のための高活性材料WCを実証した。WC(0001)表面の露出3配位W原子(W_3c)により,HCHO分子は新しく形成されたO_F_3cおよび/またはC_F-W_3c結合を通してWC(0001)表面上に固定され,異なる吸着配置を形成した。WC(0001)表面上に沈降したとき,HCHO分子の分子配置および対応するC_F-H_FおよびC_F-O_F結合長は大きく変化した。C_F-H_FとC_F-O_F結合長の拡大のために,吸着HCHO分子は2つの可能な経路を通して解離する傾向がある。これらは二段階C_F-H_F結合切断または一段階C_F-O_F結合切断である。前者は二つのH吸着原子と表面に化学吸着したCO分子をもたらし,後者は表面上にO吸着原子とCH_2基を生成した。さらなるCl-NEB計算は,予備吸着したO原子が最初のC_F-H_F結合切断とC_F-O_F結合切断にほとんど影響しないが,第二のC_F-H_F結合切断を促進することを示した。解離生成物を考慮すると,HとCH_2はCH_3基(またはCH_4分子)に結合する可能性があり,2つのCH_2基はC_2H_4分子に結合する可能性がある。最後に,OHイオンがHCHOの解離生成物と結合する可能性があるので,アルカリ溶液を用いてWC(0001)表面を後処理し,その表面活性部位を回復させることができることを提案した。これらの結果は,HCHOセンシングと減少におけるWCの可能性を示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学吸着 ,  *吸着 ,  核間距離 ,  活性部位 ,  吸着剤 ,  露光 ,  計算 ,  後処理 ,  水酸化物イオン ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： アルカリ溶液 ,  吸着原子 ,  第一原理計算 ,  酸素原子 ,  結合切断 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (6件)： WC ,  ホルムアルデヒド ,  吸着 ,  分解 ,  理論 ,  研究