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J-GLOBAL ID：201802290289139672   整理番号：18A1378329

P-195: 水素プラズマドーピングを用いた可視光検出のためのインジウムガリウム亜鉛オキシドフォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

P-195: Late-News Poster: Indium Gallium Zinc Oxide Phototransistor for Visible Light Detection Using Hydrogen Plasma Doping

著者 (5件)： Kang Byung Ha (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea) ,  Kim Won-Gi (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea) ,  Chung Jusung (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea) ,  Lee Jin Hyeok (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea) ,  Kim Hyun Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Korea)
資料名： Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)  (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻： 49  号： 1  ページ： 1280-1283  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0907A  ISSN： 0097-966X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素ドープ酸化物吸収層を積層した非晶質インジウムガリウム亜鉛オキシド(a-IGZO)に基づく可視光フォトトランジスタを報告した。吸収層はArとH2プラズマ条件の混合物によるスパッタ法により作製し,水素を組み込んだa-IGZO(a-IGZO)から成る。吸収層は水素プラズマドーピングによるサブギャップ状態の増加により可視光を吸収できた。結果として,水素ドープ吸収層を有するa-IGZOフォトトランジスタは,緑色光(532nm,5mW)下で,678.78A/Wの高い光応答性,2.98x10~6の光感度,および5.81x10~11Jonesの検出能を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  *プラズマ ,  非晶質 ,  *酸化物 ,  *ドーピング ,  *フォトトランジスタ ,  *水素 ,  *可視光 ,  アルゴン
準シソーラス用語： 光感度 ,  光応答 ,  緑色光 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  サブギャップ ,  *水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： インジウムガリウム亜鉛オキシド ,  フォトトランジスタ ,  可視光検出 ,  水素プラズマドーピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素プラズマ ,  ドーピング ,  可視光 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛